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国产第三代半导体量产实现零突破

来源:微波在线 浏览:971次 时间:2014-02-27

日前,泰科天润半导体科技(北京)有限公司研发的第三代半导体碳化硅肖特基二极管等多个产品已经成功量产,产品涵盖600V-3300V等中高压范围。这标志着中国已成为继美欧日之后实现第三代半导体量产的国家。

国产第三代半导体量产实现零突破

在全球碳化硅市场的发展格局中,欧、美、日抢先一步,早在2003年左右就实现碳化硅功率二极管的商品化。

对于碳化硅行业的整体发展情况,泰科天润总经理陈彤向记者介绍:“美国是全球碳化硅的老大,所占市场份额最大。英国的主导产品还是硅,碳化硅的发展正在积累中。日本企业比较特殊,从材料做到终端产品,不会单独卖中间某个配件。”碳化硅功率器件的量产,打破了国外技术垄断。

随着绿色经济的兴起,节能降耗已成潮流。据统计,60%-70%的电能是消耗于电力变换和驱动的无功环节,如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。作为最有广阔发展前景的“一种未来材料”,碳化硅属于“宽禁带”的第三代半导体,以此为材料的功率器件具有更低的寄生电阻、更大的电流密度和更快的开关速度,在提高能源利用方面较目前的硅基器件有着无与伦比的优势,将从本质上提高电力传送效率和使用效率。可以广泛应用于航空航天、无线通信和雷达、电力系统、电动汽车、白色家电等领域。

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