近日，科锐公司（Cree, Inc. ，Nasdaq: CREE）推出业内最大功率连续波（CW）射频氮化镓（GaN）高电子迁移率（HEMT）晶体管，该晶体管采用双扁平无引脚（DFN）封装方式。该新型6 W和25 W器件主要针对的是成本敏感、功率小于100瓦的商用雷达和数据链路放大器市场，可在C和X波段有效替代效率较低的砷化镓（GaAs）器件，也可有效替代天气、海洋和监视等商用雷达所用的寿命较短的真空管器件。
基于科锐已经验证的40 V、0.25µm栅长高频工艺，Cree®氮化镓DFN晶体管可将砷化镓内部配备场效应晶体管（IMFET）的饱和输出功率（PSAT）效率和增益提升2倍，而封装尺寸仅为同等功率和频率砷化镓器件体积的1/20。在企业、点对点和机载通信网络的大容量微波数据链路中，新的晶体管拓展了通信范围，并提供2倍于砷化镓放大器的线性效率。高效率为射频器件设计人员提供了灵活性，可减少放大器的体积和重量，节约运行和整个寿命周期内的成本。
“多年以来，商用微波雷达发射器一直困扰于真空放大器有限的寿命，这导致巨大的维护成本。从历史上看，大容量数据链路受限于砷化镓IMFET的低效。”科锐公司的射频销售和市场部总监Tom Dekker 表示“通过以可以承受的价格提供卓越的效率和功率能力，我们的氮化镓DFN晶体管首次在低功耗、成本敏感的商用系统中实现了对这些传统技术的替代。”
新的DFN器件也可作为科锐公司的CGHV96100和CGHV96050F2全匹配场效应管的驱动而用于X波段，使得输出级和驱动级晶体管能够工作在同样的电压水平上，与混合电压晶体管阵列相比，这带来方便的规律的功率分配，可有效节约电路板空间。
CGHV1F006S（6 W）和CGHV1F025S（25 W）氮化镓DFN晶体管已可用于C波段和X波段的试样和设计参考。安捷伦公司的ADS和AWR 公司的Microwave Office仿真器也提供该器件的大信号模型。
