三菱电机株式会社近日宣布开发出一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），能提供顶级*高输出功率和效率，工作在3.5GHz频段，可用于第四代（4G）移动通信基站。该器件样片将在2015年4月1日推出。
随着LTE和LTE-Advanced移动网络的发展，迫切需要发送数据量大、体积小巧、功耗更低的通信基站。为满足这一需要，三菱电机为宏基站收发台和微蜂窝基站收发台应用开发了世界领先级的高输出功率、高效率的氮化镓高电子迁移率晶体管。
MGFS50G38FT1 (左) ，MGFS39G38L2 (右)
产品特性：
· 世界领先的100W功率输出，可用于宏蜂窝基站收发台
○ 通过晶体管优化实现高输出功率○ 有助于扩大基站的覆盖范围
· 通过采用氮化镓高电子迁移率晶体管和晶体管优化，实现高效率
○ 高效率有助于降低基站收发台的尺寸和功耗○ 用于宏蜂窝基站收发台的100W器件（MGFS50G38FT1）的漏极效率达74%
○ 用于微蜂窝基站收发台的9W器件（MGFS39G38L2）的漏极效率达67%
○ 高效率简化了制冷系统的设计，有助于减小尺寸和功率消耗
*：截至2015年3月11日，根据本公司调查。
