宏捷科技股份有限公司

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2013-08-16收录日期
2024-11-25更新日期

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产品标签：双极电晶体　砷化镓　
网站描述：宏捷科技股份有限公司创立于1998年4月，位于台湾台南科学工业园区。在1999年七月发表第一片砷化镓异质界面双极电晶体(GaAs HBT)。公司已于2009年六月一日挂牌上柜。目前员工人数达500人，各自拥有不同的技术背景。公司以制造砷化镓异质界面双极电晶体（GaAs HBT），假型高速电子迁移率电晶体（pHEMT），整合性被动元件（IPD）以及砷化镓高效率聚光型太阳能（CPV）为主之晶片代工厂。

公司的服务团队将为您提供有元件蓝图（Device Layout）规则及设计模组之设计手册。目前厂房Class 100无尘室的产能为每周2000片6吋晶片，公司计划在现有厂房扩充设备，每周最大产能可达3000片。

宏捷提供可靠的功率放大器及光电电路设计之GaAs HBT制程，经证实其所制造电晶体之平均故障时间为使用时间达100多万小时。我们确信能提供良好的制程控管效能及高良率之产量去符合客户所需之效能及成本。

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